The Effect of the Electrochemical Etching Prosses Rate on Electrical Properties of P-Silicon

پیرقلی گیوی, غلامرضا and فرازین, جاوید and عزیزیان کلاندرق, یاشار and آناتولوویچ گالاوان, لئونید (2019) The Effect of the Electrochemical Etching Prosses Rate on Electrical Properties of P-Silicon. In: 1st International Conference on Optoelectronics, Applied Optics and Microelectronics - 2019.

[img] Text
1 (29).pdf

Download (1MB)
Official URL: http://uma.ac.ir/

Abstract

In this research, the electrochemical etching process is used to modify the surface of the p-type silicon and the effect of porosity amount has been studied on the morphological and electrical properties of the prepared samples using Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM), I-V and C-f analyses. The results of surface morphology show that, the surface roughness and porosity increase by increasing the amount of etching prosses. The results of the electrical properties of the samples show that the sample without surface modification has a near-ohmic behavior, and the surface-modified samples by the etching method show diode behavior. Also, in these samples, increasing the amount of etching increases the Schottky barrier height (ΦB0), decreases reverse saturation-current (Io) and the ideality factor (n). In other words, by increasing porosity, the efficiency of the fabricated metal-semiconductor (MS) diode has been improved.

Item Type: Conference or Workshop Item (Paper)
Persian Title: تأثیر فرآیند اچینگ الکتروشیمیایی بر خواص الکتریکی سیلیکون نوع p
Persian Abstract: در این تحقیق، فرآیند حکاکی الکتروشیمیایی (اچینگ) برای اصلاح سطحی سیلیکون نیمه رسانای نوع p مورد استفاده قرار گرفته و تاثیر میزان تخلخل بر ریخت شناسی، خواص الکتریکی نمونه های آماده شده از طریق آنالیزهای میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) ، مشخصه یابی I-V و C-f مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج حاصل از ریخت شناسی سطح نشان می¬دهد که افزایش میزان اچینگ موجب افزایش زبری سطح و میزان تخلخل شده است. نتایج بررسی خواص الکتریکی نمونه ها نشان می¬دهد که نمونه فاقد اصلاح سطحی از خود رفتار شبه اهمی داشته و نمونه¬های دستکاری شده سطحی به روش اچینگ رفتار دیودی از خود نشان دادند. همچنین در این نمونه ها، افزایش میزان اچینگ موجب افزایش ارتفاع سد شاتکی (ΦB0)، کاهش جریان اشباع معکوس(I0) و فاکتور ایده آلی(n) شده است. به عبارت دیگر با افزایش میزان تخلخل کارایی دیود فلز- نیمرسانا(MS) بهبود یافته است. در این تحقیق، فرآیند حکاکی الکتروشیمیایی (اچینگ) برای اصلاح سطحی سیلیکون نیمه رسانای نوع p مورد استفاده قرار گرفته و تاثیر میزان تخلخل بر ریخت شناسی، خواص الکتریکی نمونه های آماده شده از طریق آنالیزهای میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) ، مشخصه یابی I-V و C-f مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج حاصل از ریخت شناسی سطح نشان می¬دهد که افزایش میزان اچینگ موجب افزایش زبری سطح و میزان تخلخل شده است. نتایج بررسی خواص الکتریکی نمونه ها نشان می¬دهد که نمونه فاقد اصلاح سطحی از خود رفتار شبه اهمی داشته و نمونه¬های دستکاری شده سطحی به روش اچینگ رفتار دیودی از خود نشان دادند. همچنین در این نمونه ها، افزایش میزان اچینگ موجب افزایش ارتفاع سد شاتکی (ΦB0)، کاهش جریان اشباع معکوس(I0) و فاکتور ایده آلی(n) شده است. به عبارت دیگر با افزایش میزان تخلخل کارایی دیود فلز- نیمرسانا(MS) بهبود یافته است.
Subjects: Divisions > Conferences > 1st International Conference on Optoelectronics, Applied Optics and Microelectronics - 2019
Conferences > 1st International Conference on Optoelectronics, Applied Optics and Microelectronics - 2019
Divisions: Conferences > 1st International Conference on Optoelectronics, Applied Optics and Microelectronics - 2019
Subjects > Conferences > 1st International Conference on Optoelectronics, Applied Optics and Microelectronics - 2019
Date Deposited: 11 Dec 2019 10:05
Last Modified: 11 Dec 2019 10:05
URI: http://repository.uma.ac.ir/id/eprint/10694

Actions (login required)

View Item View Item