Fabrication of schottky barrier diode usinig nano composites SnO2-PVA

Footoohi-Shabloo, Saeed and Azizian-Kalandaragh, Yashar and Seifzadeh, Davod (2015) Fabrication of schottky barrier diode usinig nano composites SnO2-PVA. Masters thesis, university of Mohaghegh Ardabili.

[img] Text (ساخت دیودهای سد شاتکی بر اساس نانو کامپوزیت¬های پلیمری- SnO2)
Saeed Footoohi-Shabloo.pdf

Download (1MB)
Official URL: http://www.uma.ac.ir


In this work, the SnO2-PVA nanocomposite syntheses by ultrasound-assisted method. Then, the SnO2-PVA nanocomposite film have been structurally characterized by The x-ray diffraction (XRD), the surface morphological was investigated by Scanning Electron Microscopy (SEM), Then the optical band gap has been determined from Uv-Visible absorption spectra of SnO2-PVA nanocomposite, and the Fourier Transform Infrared (FTIR) measurement was conducted over the range of 0 to 4000 cm-1 intransmission made at room temperature. The XRD patterns of SnO2-PVA nanocomposite show that the structure are nanocrystalinein nature with average size bellow 57.165 nm. The Uv-visible absorbance spectra of the SnO2, show that values of band gap for SnO2 is found to be about 4.12eV and this value be related to the formation of nanostructures of SnO2. The SEM image of the as-prepared SnO2-PVA show that the SnO2 particles has uniform distribution on the PVA film, and the size of the particles is at the nanoscale. And the FTIR spectrum show that, all the characteristic bands corresponding to SnO2 and PVA could be observed in a pristine SnO2 and PVA film. The dielectric properties of SnO2-PVA thick film arrangement were studied by means of complex impedance spectroscopy. Experimental results revealed that the parameters have strong frequency dependence.The obtained values of showed increments with decreasing frequency. However, increasing frequency levels cause an increase in the AC electrical conductivity, real and imaginary part of electric modulus. After making the combination of SnO2-PVA, using it schottky barrier diode built. After Deposition of insulator layer (SnO2-PVA), performance of diode is improved. I-V characteristics revealed that, due to insulator layer (SnO2-PVA) deposition, shunt resistance values increased. Therefore, leakage current value decreased. Moreover, rectifying ratio was improved. I-V data indicated that high permittivity insulator layer (SnO2-PVA) also led to an increase in barrier height. Same result was also obtained through C-V data. Moreover The effect of frequency changes the performance of both the MIS and MS were studied.

Item Type: Thesis (Masters)
Persian Title: ساخت دیودهای سد شاتکی بر اساس نانو کامپوزیت¬های پلیمری- SnO2
Persian Abstract: در این پایان‌نامه ابتدا نانوساختار دی¬اکسید قلع به روش شیمی صوتی تهیه شده، و سپس در پلیمر پلی وینیل الکل پخش شد، و با استفاده از ترکیب بدست آمده، لایه¬ی نانو کامپوزیت SnO2-PVA ساخته شد، بعد از ساخته شدن لایه نانو کامپوزیت SnO2-PVA، آنالیزهای SEM، FTIR، UV-Vis و XRD بر روی لایه انجام شدند، الگوی پراش پرتو ایکس (XRD) نشان داد، هیچ قله¬ای که نشان¬دهنده ناخالصی باشد وجود ندارد و ماده کاملا تشکیل شده است و میانگین سایز ذرات با استفاده از رابطه دبای شرر D=Kλ/ (β cosθ) برابر 165/56 نانومتر بدست آمد. تصاویر SEM نشان دادندکه ذرات SnO2 بر روی PVA پخش شده¬اند و سایز ذرات زیر 100 نانومتر است. طیف FTIR نمونه لایه نانوکامپوزیت SnO2-PVA نشان داد که طیف به دست آمده، با طیف حاصل از لایه نانوکامپوزیت SnO2-PVA مطابقت دارد و همچنین با استفاده از آنالیز Uv-Vis گاف انرژی لایه نانوکامپوزیت SnO2-PVA برابر 12/4 الکترون¬ولت بدست آمد. همچنین مشاهدات حاصل از اسپکتروسکوپی امپدانس نشان دادند که قسمت¬های حقیقی و موهومی ثابت دی¬الکتریکی، در برخی بسامدها، به بسامد وابسته هستند و با افزایش آن کاهش می¬یابند، همچنین مشاهده شد که قسمت¬های حقیقی و موهومی مدول الکتریکی، ضریب اتلاف انرژی، رسانندگی الکتریکی و ظرفیت ماده دی¬الکتریک در برخی بسامدها، به بسامد وابسته هستند. بعد از ساخت ترکیب SnO2-PVA از آن در ساخت دیود سد شاتکی استفاده شد، برای این منظور دیود سد شاتکی با ساختارهای فلز-نیمه¬هادی و فلز-عایق-نیمه¬هادی ساخته شدند، آنالیزهای I-V و C-V این ساختارها نشان دادند که با افزودن لایه نازک عایق(SnO2-PVA) عملکرد دیود سد شاتکی بهبود یافته است یعنی جریان نشتی دیود کمتر شده و در نتیجه دیود یکسو سازتر شده و مقدار ارتفاع سد شاتکی بیشتر شده است. همچنین تاثیر تغییرات بسامد بر عملکرد هر دو ساختار MIS وMS مورد بررسی قرار گرفته است.
Azizian-Kalandaragh, YasharUNSPECIFIED
Seifzadeh, DavodUNSPECIFIED
Subjects: Faculty of Basic Sciences > Department of Physics
Divisions > Faculty of Basic Sciences > Department of Physics
Divisions: Subjects > Faculty of Basic Sciences > Department of Physics
Faculty of Basic Sciences > Department of Physics
Date Deposited: 25 Nov 2018 15:04
Last Modified: 25 Nov 2018 15:04
URI: http://repository.uma.ac.ir/id/eprint/2126

Actions (login required)

View Item View Item